تۆۋەن قېتىشمىلىق پولات كەپشەرلەش ئېلېكترودى
J707RH
GB/T E7015-G
AWS E10015-G
چۈشەندۈرۈش: J707RH يۇقىرى چىداملىق، تۆۋەن ۋودورودلۇق ناترىي قاپلىمىلىق ئىنتايىن تۆۋەن ۋودورود ئېلېكترودى. DCEP (بىۋاسىتە توك ئېلېكترودى مۇسبەت) ئىشلىتىلىدۇ، ھەر خىل ئورۇنلاردا كەپشەرلەشكە بولىدۇ. كەپشەرلەش جەريانىنىڭ ئۈنۈمى ياخشى. كەپشەرلەنگەن ئۇلىنىشلارنىڭ سوغۇق ئېگىلىش، يېرىلىش ۋە پارتلاشقا چىدامچانلىقى ياخشى. چۆكمە قىلىنغان مېتالنىڭ سۇيۇقلۇقى ۋە چىدامچانلىقى يۇقىرى.
قوللىنىشچانلىقى: ئۇ كېمە قۇرۇلمىسىنى كەپشەرلەشكە ئىشلىتىلىدۇ، شۇنداقلا 0.2≥590MPa RP يۇقىرى كۈچلۈك پولاتتىن ياسالغان مۇھىم قۇرۇلمىلارنى كەپشەرلەشكە ماس كېلىدۇ.
كەپشەرلەنگەن مېتالنىڭ خىمىيىلىك تەركىبى (%):
| C | Mn | Cr | Si | Ni | Mo | S | P | S + P |
| ≤0.10 | 1.20 ~ 1.60 | 0.08 ~ 0.20 | 0.30 ~ 0.60 | 1.40 ~ 2.00 | 0.25 ~ 0.50 | ≤0.020 | ≤0.020 | ≤0.035 |
كەپشەرلەنگەن مېتالنىڭ مېخانىكىلىق خۇسۇسىيىتى:
| سىناق تۈرى | سوزۇلۇش كۈچى Mpa | ئۈنۈم بېرىش كۈچى Mpa | ئۇزارتىش % | تەسىر قىممىتى (J) -50℃ |
| كاپالەتلىك | ≥690 | ≥590 | ≥15 | ≥34 |
چۆكمە مېتالنىڭ دىففۇزىيەلىك ھىدروگېن مىقدارى: ≤4.1mL/100g (سىماب ياكى گاز خروماتوگرافىيەسى ئۇسۇلى)
رېنتىگېن تەكشۈرۈشى: I دەرىجىلىك
تەۋسىيە قىلىنغان توك مىقدارى:
| (مىللىمېتىر) تاياق دىئامېتىرى | 4.0 | 5.0 |
| (A) كەپشەرلەش ئېقىمى | 160 ~ 180 | 180 ~ 220 |
ئۇقتۇرۇش:
1. ئېلېكترودنى كەپشەرلەشتىن بۇرۇن 400 سېلسىيە گرادۇستا 2 سائەت پىشۇرۇش كېرەك؛
2. كەپشەرلەشتىن بۇرۇن، كەپشەرلەش قىسىملىرىدىكى داتلاشقان، مايلىق قالدۇق، سۇ ۋە باشقا ماددىلارنى تازىلاش كېرەك؛
3. كەپشەرلەشتە قىسقا قوس ئىشلىتىش. تار كەپشەرلەش يولى مۇۋاپىق.






